DEPLETION-TYPE MOSFETs

DEPLETION-TYPE MOSFETs

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Dasar Teori

4. Percobaan

5. Video 

6. Problem dan Example

7. Link Download

1. Tujuan 

[kembali]

-Untuk mengetahui dan memahami depletion type mosfet  

- Mampu mensimulasikan rangkaian depletion type mosfet

2. Alat dan Bahan 

[kembali]

A. Mosfet

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B).

 B. Resistor

Resistor

Resistor adalah komponen Elektronika Pasif yang memiliki nilai resistansi atau hambatan tertentu yang berfungsi untuk membatasi dan mengatur arus listrik dalam suatu rangkaian Elektronika. Resistor atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan Hambatan atau Tahanan dan biasanya disingkat dengan Huruf “R”. 

Tabel warna resistor

Perhitungan Nilai Resistor

 

 

C. Baterai

Baterai

Baterai (Battery) adalah sebuah alat yang dapat merubah energi kimia yang disimpannya menjadi energi Listrik yang dapat digunakan oleh suatu perangkat Elektronik. Hampir semua perangkat elektronik yang portabel seperti Handphone, Laptop, Senter, ataupun Remote Control menggunakan Baterai sebagai sumber listriknya.

D. Kapasitor

Kapasitor

Kapasitor adalah komponen elektronika yang mempunyai kemampuan menyimpan elektron-elektron selama waktu yang tertentu atau komponen elektronika yang digunakan untuk menyimpan muatan listrik





E. Transistor

Transistor ( Mosfet )

Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya.

  G. Voltmeter

voltmeter

Voltmeter adalah sebuah alat ukur yang biasa digunakan untuk mengukur besar tegangan listrik yang ada dalam sebuah rangkaian listrik. Susunannya paralel sesuai dengan lokasi komponen yang diukur.





 H. Ground



 Ground adalah titik kembalinya arus searah atau titik kembalinya sinyal  bolak balik atau titik patokan dari berbagai titik tegangan dan sinyal listrik dalam rangkaian elektronika.

3. Dasar Teori [kembali]

  Kesamaan dalam penampilan antara kurva transfer JFET dan tipe depletion tipe MOSFET memungkinkan analisis yang sama dari masing-masing dalam domain dc. Perbedaan utama antara keduanya adalah fakta bahwa MOSFET tipe deplesi mengizinkan titik operasi dengan nilai positif Vgs dan level Id yang melebihi Idss. Faktanya, untuk semua konfigurasi yang dibahas sejauh ini, analisisnya sama jika JFET digantikan oleh MOSFET tipe deplesi.

 

           Satu-satunya bagian yang tidak ditentukan dari analisis adalah bagaimana memplot persamaan Shockley untuk nilai positif Vgs. Seberapa jauh ke wilayah nilai positif Vgs dan nilai Id lebih besar dari Idss yang harus diperluas oleh kurva transfer? Untuk sebagian besar situasi, kisaran yang diperlukan ini akan didefinisikan dengan cukup baik oleh parameter MOSFET dan garis bias yang dihasilkan dari rangkaian. Beberapa contoh akan mengungkapkan dampak perubahan perangkat pada analisis yang dihasilkan. 

4. Percobaan 

[kembali]

1. Prosedur Perakitan

1. Siapkan alat dan bahan pada library proteus berupa Resistor,Dioda dan Battery
2. letakan alat dan bahan tadi pada papan rangkaian di proteus
3. selanjutnya hubungkan setiap komponen pada rangkaian dengan kabel,jangan sampai salah karena jika salah maka rangkaian tidak akan bisa berjalan dengan semestinya.
4. selanjutnya ubah Baterai sesuai kebutuhan untuk pengujian.
5. setelah itu tinggal mengetes rangakaian di proteus.

.Foto Rangkaian

2. Prinsip Kerja

    Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada kondisi maksimum. Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi pada channel menurun.

5. Video [kembali]

6. Problem dan Example 

[kembali]

a. Example

Contoh 1
 

Untuk MOSFET tipe deplesi saluran-n dari Gambar 6.29, tentukan: (a) Idq dan Vgsq. (B) Vds.

JAWABAN :

(a)  Untuk karakteristik transfer, titik plot didefinisikan oleh Id=Idss / 4=6 mA / 4=1,5 mA dan 

Vgs= Vp / 2 = -3 V / 2 = -1,5 V. Mempertimbangkan tingkat Vp dan fakta bahwa Persamaan Shockley mendefinisikan kurva yang naik lebih cepat karena Vgs menjadi lebih positif, titik plot akan ditentukan pada Vgs= +1 V. Mengganti ke dalam hasil persamaan Shockley

Kurva transfer yang dihasilkan muncul pada Gambar 6.30. Melanjutkan seperti yang dijelaskan untuk JFET, memiliki:

(b) Eq. (6.19): Vps = Vdd - Id (Rd+Rs)
                               = 18 V - (3.1 mA) (1.8 kohm + 750 ohm )
                               = 10.1 V

Contoh 2

       Ulangi example 1 dengan Rs = 150 ohm

Jawaban :

(a) Poin plot sama untuk kurva transfer seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6.31. Untuk garis bias,

Atur Id = 0 mA, menghasilkan

Atur Vgs = 0, menghasilkan

Garis bias disertakan pada Gambar 6.31. Perhatikan dalam hal ini bahwa titik diam menghasilkan arus pembuangan yang melebihi IDSS, dengan nilai positif untuk VGS. Hasil:

 (b) Eq. (6.19):   Vds = Vdd - Id (Rd + Rs)

                                  = 18 V - (7.6 mA)(1.8 kohm + 150 ohm)

                                  = 3.18 V

b. Problem

1. Tentukan yang berikut untuk jaringan Gambar 6.32.

(a) IDQ dan VGSQ.

(a) Konfigurasi bias sendiri menghasilkan Vgs = - Idrs seperti yang diperoleh untuk konfigurasi JFET, menetapkan fakta bahwa VGS harus kurang dari nol volt. Oleh karena itu tidak ada persyaratan untuk memetakan kurva transfer untuk nilai-nilai positif VGS, meskipun itu dilakukan pada kesempatan ini untuk melengkapi karakteristik transfer. Titik plot untuk karakteristik transfer untuk VGS < 0 V adalah

2. Tentukan Vds Untuk rangkaian berikut 

c. Pilihan Ganda

1. Suаtu rаngkаіаn реnguаt ѕаtu tіngkаt dеngаn bіаѕ bаѕіѕ mеmрunуаі data раrаmеtеr-раrаmеtеr sebagai berikut:

Vcc = 5/2 VBB

RL = 100 Kohm

RL = 2,2 Kohm

VBB = 4 volt

RC = 1 Kohm

RS = 0,4 ohm

βDC = 80

VBE = 0,72 V

Vin = 30 mV

Jawab :

Tentukan IB. IC, αdc dan VCE

    VBB = RB x IB + VBE

    4 = 100 Kohm x IB + 0,72

    4 – 0,72 = 100 Kohm x IB

    3,28 = 100 Kohm x IB

    IB = 3,28 / 100.000

    IB =3,28 x 10-5A

    βDC = IC / IB

    80 = IC / 3,28 x 10-5

    IC = 262,4 x 10-5A

    VCC = IC x RC + VCE

    10 = 262,4 x 10-5 x 1 Kohm + VCE

    10 – 2,624 = VCE

    VCE = 7,376 Volt

2. Cari Ic Saturasi dan VCE

 IC saturasi dan VCE cut off

    IC saturasi = VCC / RC
    IC saturasi = 10 / 1000
    IC saturasi = 0,01 A

    VCE cut off = VCC = 10 V

7. Link Download 

[kembali]

Download Materi                                        +   klik disini
Download Datasheet                                      klik disini
Download Simulasi Proteus Example 1         klik disini
Download Video Example                             klik disini
Download Simulasi Proteus Example 3         klik disini
Download Video Example 3                          klik disini
Download Simulasi Example 4                     klik disini
Download Video Example 4                          klik disini